Raksasa Elektronik dan Perusahaan terbesar di Korea Selatan, Samsung, dikabarkan sedang menguji coba Chip 3nm untuk ASIC (Application-Specific Integrated Circuit), mesin yang saat ini paling efisien untuk menambang Bitcoin.
Dikabarkan bahwa Pelanggan pertama Chip terbaru ini adalah Perusahaan ASIC China (PanSemi), dan Qualcomm yang juga telah mereservasi untuk memanfaatkan manufaktur kapan saja ketika diperlukan.
Sebelumnya Qualcomm telah memesan Chip 4nm, namun dibatalkan pada Februari lalu karena kabar mengejutkan kurangnya kemampuan Produksi Samsung.
Hal ini menyebabkan Qualcomm mengandalkan Perusahaan lain, yaitu Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC).
Penawaran terbaru dari Samsung disebut sebagai Gate-all-Around (GAA), yang sesuai namanya, akan memiliki gerbang di keempat permukaan.
Saat ini, yang paling sukses secara komersial adalah FinFET, yang hanya menggunakan 3 permukaan.
Chip 3nm kemungkinan akan memecahkan beberapa masalah penambangan Bitcoin, terutama pada bagian Konsumsi Daya.
Berdasarkan Publikasi Resmi Samsung :
Samsung memulai Produksi Chip menggunakan Teknologi Proses 3nm dengan Arsitektur GAA
Proses 3nm yang dioptimalkan menghasilkan pengurangan penggunaan Daya 45%, peningkatan Kinerja 23%, dan luas permukaan 16% lebih kecil dibandingkan dengan proses 5nm.
Para pemimpin Samsung Foundry Business and Semiconductor R&D Center mengacungkan 3 jari sebagai simbol 3nm untuk merayakan Produksi Proses 3nm pertama Perusahaan dengan Arsitektur GAA.
Samsung Electronics, Pemimpin Dunia dalam Teknologi Semikonduktor, hari ini mengumumkan bahwa telah memulai Produksi awal dari node proses 3-nanometer (nm) yang menerapkan Arsitektur Transistor Gate-All-Around (GAA).
Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET™), Teknologi GAA Samsung yang diterapkan untuk pertama kalinya, menentang batasan kinerja FinFET, meningkatkan efisiensi daya dengan mengurangi tingkat tegangan suplai, sekaligus meningkatkan kinerja dengan meningkatkan kemampuan arus penggerak.
Samsung memulai Aplikasi Pertama Transistor Nanosheet dengan Chip Semikonduktor untuk Kinerja tinggi, Aplikasi Komputasi Daya Rendah dan berencana untuk memperluas ke Prosesor Seluler.
“Samsung telah berkembang pesat karena kami terus menunjukkan kepemimpinan dalam menerapkan Teknologi Generasi berikutnya untuk Manufaktur, seperti High-K Metal GatE pertama di Industri Fundry, FinFET, serta EUV. Kami berusaha untuk melanjutkan kepemimpinan ini dengan Proses 3nm Pertama di Dunia dengan MBCFET™,” ujar Dr. Siyoung Choi, President and Head of Foundry Business di Samsung Electronics.
“Kami akan melanjutkan Inovasi Aktif dalam Pengembangan Teknologi yang Kompetitif dan membangun Proses yang membantu mempercepat pencapaian kematangan Teknologi.”
(Dari kiri) Michael Jeong, Wakil Presiden Perusahaan, Ja-Hum Ku, Wakil Presiden Eksekutif Perusahaan, dan Sang Bom Kang, Wakil Presiden Perusahaan di Samsung Foundry Business memegang wafers 3nm di lini Produksi Kampus Samsung Electronics Hwaseong.
Optimalisasi Desain-Teknologi untuk memaksimalkan PPA
Teknologi milik Samsung menggunakan Nanosheet dengan saluran yang lebih luas, yang memungkinkan Kinerja lebih tinggi dan Efisiensi Energi yang lebih besar dibandingkan dengan Teknologi GAA yang menggunakan Nanowires dengan saluran yang lebih sempit.
Memanfaatkan Teknologi GAA 3nm, Samsung akan dapat menyesuaikan lebar saluran Nanosheet untuk mengoptimalkan penggunaan Daya dan Kinerja untuk memenuhi berbagai kebutuhan Pelanggan.
Selain itu, Fleksibilitas Desain GAA sangat menguntungkan untuk Design Technology Co-Optimization (DTCO), yang membantu meningkatkan manfaat Power, Performance, Area (PPA).
Dibandingkan dengan Proses 5nm, Proses 3nm Generasi pertama dapat mengurangi Konsumsi Daya hingga 45%, meningkatkan kinerja sebesar 23% dan mengurangi Area sebesar 16%, sedangkan proses 3nm Generasi kedua mengurangi Konsumsi daya hingga hingga 50%, meningkatkan Kinerja hingga 30% dan mengurangi Area hingga 35%.
Menyediakan Infrastruktur & Layanan Desain 3nm dengan Mitra SAFE™
Karena Node Teknologi semakin kecil dan kebutuhan Kinerja Chip semakin besar, Perancang IC menghadapi tantangan dalam menangani sejumlah besar Data untuk memverifikasi Produk yang Kompleks dengan lebih banyak fungsi dan penskalaan yang lebih ketat.
Untuk memenuhi Tuntutan tersebut, Samsung berusaha untuk menyediakan Lingkungan Desain yang lebih Stabil untuk membantu mengurangi waktu yang dibutuhkan untuk Desain, Verifikasi dan Proses Sign-off, sekaligus meningkatkan Keandalan Produk.
Sejak kuartal ketiga tahun 2021, Samsung Electronics telah menyediakan Infrastruktur Desain yang telah terbukti melalui Persiapan Ekstensif dengan Mitra Samsung Advanced Foundry Ecosystem (SAFE™) termasuk Ansys, Cadence, Siemens, dan Synopsys, untuk membantu Pelanggan menyempurnakan Produk mereka dalam waktu singkat.
Kutipan dari SAFE™ Partners
- Ansys, (John Lee, Vice President and General Manager of the Electronics, Semiconductor & Optics Business Unit di Ansys)
“Bersama-sama, Ansys dan Samsung terus menghadirkan Teknologi yang memungkinkan untuk Desain paling Canggih, sekarang pada 3nm dengan teknologi GAA. Kesetiaan Platform Signoff Simulasi Multifisika Ansys kami adalah bukti kemitraan berkelanjutan kami dengan Samsung Foundry di ujung tombak.”
Ansys tetap berkomitmen untuk memberikan Pengalaman Desain terbaik bagi Pelanggan kami yang saling maju.”
“Kami mengucapkan selamat kepada Samsung atas pencapaian Rilis Produksi GAA 3nm ini. Cadence bekerja sama dengan Samsung Foundry untuk memungkinkan Pelanggan mencapai Daya, Kinerja, dan Area Optimal untuk Node ini menggunakan Solusi Digital kami mulai dari Karakterisasi Perpustakaan hingga Implementasi aliran Digital penuh dan Signoff”
“Semua didorong oleh Teknologi berbasis AI Cadence Cerebrus kami untuk memaksimalkan Produktivitas. dengan solusi khusus kami, kami berkolaborasi dengan Samsung untuk mengaktifkan dan memvalidasi aliran AMS penuh untuk meningkatkan Produktivitas dari Desain Sirkuit dan Simulasi melalui Tata Letak Otomatis. Kami berharap dapat melanjutkan Kolaborasi ini untuk mencapai lebih banyak keberhasilan Tapeout.”
- Siemens EDA, (Joe Sawicki, Executive Vice President for the IC-EDA segment of Siemens Digital Industries Software)
“Siemens EDA senang telah berkolaborasi dengan Samsung untuk membantu memastikan bahwa Platform Perangkat Lunak kami yang ada juga bekerja pada Node Proses 3-nanometer baru Samsung sejak fase pengembangan awal.”
“Kemitraan lama kami dengan Samsung melalui program SAFE™ menghasilkan nilai yang signifikan bagi pelanggan bersama kami, dengan sertifikasi alat EDA terdepan di industri Siemens pada 3nm.”
- Synopsys, (Shankar Krishnamoorthy, General Manager and Corporate Staff for the Silicon Realization Group di Synopsys}
“Melalui Kolaborasi Strategis lama kami dengan Samsung Foundry, kami memungkinkan Solusi kami untuk mendukung Proses Canggih Samsung, membantu pelanggan bersama kami secara signifikan mempercepat Siklus Desain mereka.”
“Dukungan kami untuk Proses 3nm Samsung dengan arsitektur GAA terus berkembang, sekarang dengan Synopsys Digital Design, Analog Design, dan Produk IP kami, memungkinkan Pelanggan menghadirkan SoCs yang berbeda untuk Aplikasi Komputasi berkinerja tinggi.”
Publikasi Resmi : https://news.samsung.com/global/samsung-begins-chip-production-using-3nm-process-technology-with-gaa-architecture
Masuknya Samsung ke dalam Sektor Penambangan Bitcoin ini tentunya akan meningkatkan Persaingan secara Signifikan dengan Teknologi terkemuka lainnya, seperti misalnya Intel, yang april lalu telah mengumumkan peluncuran Chip Penambangan Kripto baru yang disebut Blockscale.
Dan Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) yang telah memproduksi ASIC selama bertahun-tahun.
HARGA BITCOIN SAAT INI :
HARGA ETHEREUM SAAT INI :
Tertarik untuk memiliki Bitcoin atau Ethereum ? Anda bisa membelinya di Binance, Tokocrypto, dan Indodax, 3 Bursa Kripto yang saat ini paling banyak digunakan oleh Investor / Trader di Indonesia.
Atau tertarik untuk Trading Aset Kripto ? silahkan cek DISINI.